可靠性測(cè)試對(duì)于芯片的制造和設(shè)計(jì)過(guò)程至關(guān)重要。通過(guò)進(jìn)行全面而嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，可以提前發(fā)現(xiàn)并解決潛在的設(shè)計(jì)缺陷、制造問(wèn)題或環(huán)境敏感性，從而確保芯片在長(zhǎng)期使用中的性能和可靠性。
這種測(cè)試旨在驗(yàn)證芯片在不同環(huán)境條件下的穩(wěn)定性、可靠性和持久性，以確保其能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定地運(yùn)行。可靠性測(cè)試包括多種測(cè)試項(xiàng)目，例如溫度測(cè)試、電壓測(cè)試、功能測(cè)試和可靠性持久性測(cè)試。
加速測(cè)試：在半導(dǎo)體器件中，常見(jiàn)的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。高加速測(cè)試是基于 JEDEC 的資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試的關(guān)鍵部分。
_20240129161542_797.jpg "常見(jiàn)的芯片可靠性測(cè)試有哪些？")
溫度循環(huán)：根據(jù) JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經(jīng)受極端高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換。進(jìn)行該測(cè)試時(shí)，將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過(guò)預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。
高溫工作壽命HTOL：HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測(cè)試通常根據(jù) JESD22-A108 標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行。
溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試BHAST：根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn)，THB 和 BHAST 讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但 BHAST 條件和測(cè)試過(guò)程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測(cè)試速度比 THB 快得多。
熱壓器/無(wú)偏壓HAST：熱壓器和無(wú)偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它用于加速腐蝕。不過(guò)，與這些測(cè)試不同，不會(huì)對(duì)部件施加偏壓。
高溫貯存：HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長(zhǎng)期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下。
靜電放電ESD：靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子，而另一個(gè)表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。
當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí)，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。
當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí)，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。
當(dāng)然，以上只是常見(jiàn)的幾種可靠性測(cè)試方法。其他還有電磁干擾 測(cè)試，電壓波動(dòng)測(cè)試，電氣特性測(cè)試，長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行測(cè)試等不在本文過(guò)多介紹。
