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材料分析
穿透式電子顯微鏡(TEM)
描述： 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron microscopy, TEM)主要是一種使用高能量電子束讓超薄的樣品成像，影像分辨率可達(dá)0.1奈米的原子等級(jí)，用以觀察材料微結(jié)構(gòu)或晶格缺陷的分析儀器。
可針對(duì)材料之顯微結(jié)構(gòu)、晶格缺陷(Dislocation)、化學(xué)成分進(jìn)行分析；搭配上EDS、HAADF(ZC)、應(yīng)力分析等功能，更能得到原子尺度結(jié)構(gòu)與成份信息，解決制程上各種難題。
應(yīng)用范圍：
顯微結(jié)構(gòu)分析(晶格影像)；
結(jié)晶缺陷、晶格缺陷(dislocation)分析；
元素成分分析；
電子繞射圖分析；
雜質(zhì)及污染源分析。
檢測圖片：
缺陷PV-TEM 轉(zhuǎn)XS-TEM延伸分布分析：
LED磊晶結(jié)構(gòu)分析：LED磊晶各層結(jié)構(gòu)與LED量子井觀察與量測。
3D DRAM分析：3D DRAM結(jié)構(gòu)分析與3D DRAM EDS mapping分析。
高解析TEM/EDS分析：28奈米HKMG晶體管TEM影像與28奈米HKMG晶體管EDS mapping。
高解析TEM影像分析：先進(jìn)制程FINFET影像:高倍率原子影像與STEM明場像與暗場像。
檢測設(shè)備能量圖片：
FEI Talos-F200X
JEOL JEM-2100F
