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材料分析
穿透式電子顯微鏡(TEM)
描述： 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron microscopy, TEM)主要是一種使用高能量電子束讓超薄的樣品成像，影像分辨率可達0.1奈米的原子等級，用以觀察材料微結構或晶格缺陷的分析儀器。
可針對材料之顯微結構、晶格缺陷(Dislocation)、化學成分進行分析；搭配上EDS、HAADF(ZC)、應力分析等功能，更能得到原子尺度結構與成份信息，解決制程上各種難題。
應用范圍：
顯微結構分析(晶格影像)；
結晶缺陷、晶格缺陷(dislocation)分析；
元素成分分析；
電子繞射圖分析；
雜質及污染源分析。
檢測圖片：
缺陷PV-TEM 轉XS-TEM延伸分布分析：
LED磊晶結構分析：LED磊晶各層結構與LED量子井觀察與量測。
3D DRAM分析：3D DRAM結構分析與3D DRAM EDS mapping分析。
高解析TEM/EDS分析：28奈米HKMG晶體管TEM影像與28奈米HKMG晶體管EDS mapping。
高解析TEM影像分析：先進制程FINFET影像:高倍率原子影像與STEM明場像與暗場像。
檢測設備能量圖片：
FEI Talos-F200X
JEOL JEM-2100F
