測(cè)試IC芯片需提前做好哪些準(zhǔn)備？全流程詳解
日期：2022-02-16 18:14:27 瀏覽量：1932 標(biāo)簽: ic芯片
在測(cè)試芯片的時(shí)候要注意不要引起引腳之間的短路，任何一瞬間的短路都能被捕捉到，從而造成芯片燒壞。失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。
常見(jiàn)的失效分析方法有decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開(kāi)放的資源，來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們測(cè)試IC芯片需提前做好哪些準(zhǔn)備呢？下面來(lái)看一下相關(guān)介紹：
一、decap：寫(xiě)清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開(kāi)封要求后續(xù)試驗(yàn)。
1.IC開(kāi)封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等
2.樣品減?。ㄌ沾?，金屬除外）
3.激光打標(biāo)
4.芯片開(kāi)封（正面/背面）
5.IC蝕刻，塑封體去除
二、X-RAY：寫(xiě)清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點(diǎn)觀察區(qū)域，精度。
1.觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
2.觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線(xiàn)情況
3.觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線(xiàn)、搭線(xiàn)、內(nèi)部氣泡等封裝
缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
三、IV：寫(xiě)清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。
1.Open/Short Test
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage（漏電）Test
四、EMMI：寫(xiě)清樣品加電方式，電壓電流，是否是裸die，是否已經(jīng)開(kāi)封，特殊要求等，EMMI是加電測(cè)試，可以連接各種源表，確認(rèn)加電要求，若實(shí)驗(yàn)室沒(méi)有適合的源表，可以自帶，避免做無(wú)用功。
1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、
Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題
五、FIB：寫(xiě)清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的，標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線(xiàn)連線(xiàn)寫(xiě)好方案，發(fā)定位文件。
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證
2.Cross-Section截面分析
3.Probing Pad
4.定點(diǎn)切割
_20220216181148_598.jpg "測(cè)試IC芯片需提前做好哪些準(zhǔn)備？全流程詳解")
六、SEM：寫(xiě)清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。
1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示
七、EDX：寫(xiě)清樣品尺寸，材質(zhì)，EDX是定性分析，能看到樣品的材質(zhì)和大概比例，適合金屬元素分析。
1.微區(qū)成分定性分析
八、Probe：寫(xiě)清樣品測(cè)試環(huán)境要求，需要搭配什么源表，使用什么探針，一般有硬針和軟針，軟針較細(xì)，不易對(duì)樣品造成二次損傷。
1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出
2.失效分析失效確認(rèn)
3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)
4.晶圓可靠性驗(yàn)證
九、OM：寫(xiě)清樣品情況，對(duì)放大倍率要求。OM屬于表面觀察，看不到內(nèi)部情況。
1.樣品外觀、形貌檢測(cè)
2.制備樣片的金相顯微分析
3.各種缺陷的查找
4.晶體管點(diǎn)焊、檢查
十、RIE：寫(xiě)清樣品材質(zhì)，需要看到的區(qū)域。
1.用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢
2.器件表面圖形的刻蝕。
