MOS場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)及規(guī)格
日期：2022-03-01 16:38:00 瀏覽量：2752 標(biāo)簽: Mos管 場(chǎng)效應(yīng)管
MOS管也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是電路中常用的功率器件。根據(jù)材料結(jié)構(gòu)不同分為兩種：N溝道MOS管，P溝道MOS管。場(chǎng)效應(yīng)管字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。下面介紹MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)對(duì)照表及主要規(guī)格。
場(chǎng)效應(yīng)管看參數(shù)
1、K3878是場(chǎng)效應(yīng)管，型號(hào)命名，有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
2、第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。
3、第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。
封裝形式：
MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。按照安裝在PCB方式來(lái)區(qū)分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB的安裝孔焊接在PCB上。表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB表面的焊盤上。
TO封裝規(guī)格
1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶體管外形”，是早期的封裝規(guī)格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。
2、近年來(lái)表面貼裝市場(chǎng)需求量的增大也使得TO封裝進(jìn)展到表面貼裝式封裝。TO252和TO263就是表面貼裝封裝。其中TO-252又稱之為D-PAK，TO-263又稱之為D2PAK。
FHP、FHF、FHA是對(duì)應(yīng)著這三個(gè)的TO-220 TO-220F TO-3PN。其中FHP為TO-220，封裝形式是為鐵頭，F(xiàn)HF為TO-220F封裝形式為塑封，F(xiàn)HA為TO-3PN。
場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
1.開啟電壓UT (MOSFET)
通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對(duì)值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
2.夾斷電壓UP (JFET)
當(dāng)UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時(shí)，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS=UP時(shí)，漏極電流為零。
3.飽和漏極電流IDSS (JFET)
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場(chǎng)效應(yīng)管所能輸出的最大電流。
4.直流輸入電阻RGS
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時(shí)柵一源極 之間的直流電阻。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。
5.跨導(dǎo)Gm
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。
6.最大漏極功耗
最大漏極功耗PD=UDSID，相當(dāng)于三極管的PCM。
