電子設(shè)備中大部分故障，究其最終原因都是由于電子元器件失效引起的。如果熟悉了元器件的失效原因，及時(shí)定位到元器件的故障原因，就能及時(shí)排除故障，讓設(shè)備正常運(yùn)行。電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。
電子元器件失效分析方法
1、拔出插入法
拔出插入法是指通過(guò)對(duì)組件板或者插件板拔出又插入的過(guò)程進(jìn)行監(jiān)視，以此為根據(jù)，判斷拔出插入的連接界面是否就是故障發(fā)生的地方。值得注意的是，采用拔出插入法進(jìn)行失效分析時(shí)，在組件板或者插件板拔出又插入的過(guò)程當(dāng)中，會(huì)存在特殊狀況，即狀態(tài)發(fā)生改變的地方有時(shí)不僅是連接接口，還有可能是其他部位。所以在應(yīng)用拔出插入法時(shí)，要注意觀察每個(gè)部位及微妙的變化，才能做出正確的判斷。
2、感官辨別法
通過(guò)眼觀部件外形、手觸感知部件溫度與軟硬程度、鼻嗅味道、耳聽(tīng)聲音，判斷是否存在異常的方式即為感官辨別法。感官辨別法操作簡(jiǎn)便、省錢(qián)，只是能夠辨別的內(nèi)容會(huì)受感官能力的制約。
3、電源拉偏法
電源拉偏法是指把正常的電源與電壓拉偏，使其處于非正常狀態(tài)，然后暴露出薄弱環(huán)節(jié)或故障，進(jìn)而可以反映出故障或?yàn)l臨故障的組件、元器件部位。這種方法一般用在由于工作時(shí)間較長(zhǎng)導(dǎo)致的故障或初步判斷是電網(wǎng)波動(dòng)引發(fā)故障的情況。值得提醒的是，電源拉偏法具有一定的破壞性，使用這種方法前一定要檢查保險(xiǎn)系數(shù)或其他因素，切記勿隨便使用。
4、換上備件法
通過(guò)對(duì)被取下值得懷疑的元器件或部件的監(jiān)視，然后把合格的備件換上之后，再對(duì)出現(xiàn)的故障現(xiàn)象進(jìn)行對(duì)比分析，如看其故障現(xiàn)象有無(wú)消失，最后確定故障源點(diǎn)是否處于被取下的部件中，這種方法即為換上備件法。
_20220309145014_321.jpg "電子元器件失效分析（Failure analysis）")
常用手段
電測(cè)：連接性測(cè)試 電參數(shù)測(cè)試 功能測(cè)試
無(wú)損檢測(cè)：
開(kāi)封技術(shù)(機(jī)械開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、激光開(kāi)封)
去鈍化層技術(shù)(化學(xué)腐蝕去鈍化層、等離子腐蝕去鈍化層、機(jī)械研磨去鈍化層)
微區(qū)分析技術(shù)(FIB、CP)
制樣技術(shù)：
開(kāi)封技術(shù)(機(jī)械開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、激光開(kāi)封)
去鈍化層技術(shù)(化學(xué)腐蝕去鈍化層、等離子腐蝕去鈍化層、機(jī)械研磨去鈍化層)
微區(qū)分析技術(shù)(FIB、CP)
顯微形貌分析：
光學(xué)顯微分析技術(shù)
掃描電子顯微鏡二次電子像技術(shù)
表面元素分析：
掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS)
俄歇電子能譜分析(AES)
X射線(xiàn)光電子能譜分析(XPS)
二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)
無(wú)損分析技術(shù)：
X射線(xiàn)透視技術(shù)
三維透視技術(shù)
反射式掃描聲學(xué)顯微技術(shù)(C-SAM)
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開(kāi)路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
