陶瓷電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。而陶瓷電容使用在不合適的電路中很容易失效。
壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件,利用壓敏電阻的非線性特性,當(dāng)過電壓出現(xiàn)在其兩極時,壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值,從而實(shí)現(xiàn)對后級電路的保護(hù)。壓敏電阻還有一個很重要的作用,就是用于電路中的瞬態(tài)過電壓保護(hù)。雖然它的通流容量大,但是能量容量卻不大。此外,因?yàn)樗臎_擊電流脈沖寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于大中功率半導(dǎo)體系統(tǒng)實(shí)際脈沖電流寬度,所以才會時常發(fā)生短路或燒壞及失效現(xiàn)象。
FMEA的定義:FMEA是一種使用自下而上(Bottom-Up)方法的定量分析(Quantitative Analysis)。它可以在設(shè)計(jì)或過程中執(zhí)行。它識別設(shè)計(jì)或過程的弱點(diǎn)。它從產(chǎn)品或過程的低級(組件級)開始,直至系統(tǒng)或子系統(tǒng)失效。它會突出顯示系統(tǒng)或子系統(tǒng)的關(guān)鍵特性。FMEA的主要目的是識別系統(tǒng)或產(chǎn)品早期設(shè)計(jì)過程中可能影響其安全和性能的潛在問題,并引入對策以減輕或最小化已識別潛在問題(故障模式)的影響。
MOS管做為電壓驅(qū)動大電流型器件,在電路尤其是動力系統(tǒng)中大量應(yīng)用,MOS管有一些特性在實(shí)際應(yīng)用中是我們應(yīng)該特別注意的。
電子設(shè)備中使用著大量各種類型的電子元器件,設(shè)備發(fā)生故障大多是由于電子元器件失效或損壞引起的。失效分析在產(chǎn)品的可靠性質(zhì)量保證和提高中發(fā)揮著重要作用,在產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、使用中都需要引入失效分析工作。下面是部分常見電子元器件失效檢測整理的相關(guān)內(nèi)容,供大家參考。
失效分析是一門新興發(fā)展的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。全面系統(tǒng)的失效分析可以確定失效的原因,對于器件設(shè)計(jì)、制造工藝、試驗(yàn)或應(yīng)用的改進(jìn)具有指導(dǎo)作用,采取相應(yīng)的糾正措施消除失效模式或機(jī)理產(chǎn)生的原因,從而實(shí)現(xiàn)器件以及裝備整體可靠性的提高。
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個階段,發(fā)生在產(chǎn)品研制階段、生產(chǎn)階段到使用階段的各個環(huán)節(jié),通過分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場失效的失效產(chǎn)品明確失效模式、分析失效機(jī)理,最終明確失效原因。
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,其芯片的特征尺寸變得越來越小,器件的結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,與之相應(yīng)的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細(xì)加工也變得越來越困難,傳統(tǒng)的分析手段已經(jīng)難以滿足集成電路器件向深亞微米級、納米級技術(shù)發(fā)展的需要。
金屬材料的失效形式及失效原因密切相關(guān),失效形式是材料失效過程的表觀特征,可以通過適當(dāng)?shù)姆绞竭M(jìn)行觀察。而失效原因是導(dǎo)致構(gòu)件失效的物理化學(xué)機(jī)制,需要通過失效過程調(diào)研研究及對失效件的宏觀、微觀分析來診斷和論證。
由于現(xiàn)代社會科技化程度的不斷提高,電子器件的使用范圍不斷擴(kuò)大,電子器件在我們的生活和工作中隨處可見。由于電子器件應(yīng)用范圍的廣泛,電子器件的失效現(xiàn)象也是多種多樣,隨處可見。電應(yīng)力失效作為電子器件失效的重要方面,電氣器件電應(yīng)力失效的分析與研究,對電子器件的生產(chǎn)、使用和研發(fā)等具有深遠(yuǎn)的意義。